选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT23 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
8110 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
60050 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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ONSOP |
16850 |
1912+ |
进口原装现货,特价出售! |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
89000 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23(TO-236) |
7957 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
600000 |
21+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT23 |
23000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONSOT-23 |
6300 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONSOT-23 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
10000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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BC858CL图片
BC858CLT1G价格
BC858CLT1G价格:¥0.0575品牌:ON
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BC858CL 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、NXP(恩智浦半导体)、TI(BB德州仪器)、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
BC858CL 深圳市裕信利电子有限公司
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BC858CLT3G中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858CLT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858CLT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858CLT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858CLT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2