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BC858CL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS PNP SILICON DESCRIPTION The BC856 857 858 859 A L BL/ CL are available in SOT 23 p ackage FEATURES ⚫ Moisture Sensitivity Level: 1 ⚫ ESD Rating Human Body Model: >4000 V Machine Model: >400 V ⚫ Availabl e in SOT 23 p ackage 文件：830.81 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
BC858CLT1	文件：211.86 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：211.86 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC858CLT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：249.88 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC858CLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC858CLT1G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC858CLT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC858CLT1G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3L；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：179.58 Kbytes 页数：8 Pages	FS	FS
BC858CLT3	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC858CLT3G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC858CLT3G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.6
hFE Min：
420
hFE Max：
800
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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更多BC858CL供应商更新时间2026-1-28 11:10:00

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