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BC856XQC-Q_SER	文件：236.46 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BS	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BS/DG	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM856BS/DG	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSH	文件：236.63 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSH-Q	文件：237.75 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BS-Q	文件：236.58 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistors 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorsinSOT363(SC-88)smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandard	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSSLASHDG	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM856BSSLASHDG	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856DS	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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