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BC850C	文件：358.01 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2G；Package：SOT-23；NPN Transistors 文件：358.01 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
BC850C-215	文件：139.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors 文件：139.97 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BC850CLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors 文件：116.72 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC850CLT1G	文件：113.71 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors 文件：113.71 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC850CMTF_11	文件：142.4 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：142.4 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC850CW	文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor 文件：236.02 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
BC850CW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) 文件：272.32 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC850CW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	丝印：1G；Package：SOT-323；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：446.64 Kbytes 页数：5 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
BC850CW	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	丝印：2Gs；Package：SOT-323；NPN Silicon AF Transistors 文件：183.85 Kbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC850G-A-AE3-R	文件：253.69 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION 文件：253.69 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
BC850
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.31
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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