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BC850S-C	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2F；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V 文件：277.78 Kbytes 页数：6 Pages	FS	FS
BC850T	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856T, BC857T, BC858T, BC859T, BC860T 文件：229.15 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC850W	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP) 文件：229.84 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC850W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 200 mW • Plastic case SOT-323 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：185.32 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC850W	文件：129.259 Kbytes Page：7 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complements: BC859W and BC860W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. 文件：129.259 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BC850W	文件：260.269 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose and switching applications 文件：260.269 Kbytes 页数：4 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BC850W	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：330.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC850W	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complements: BC859W and BC860W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. 文件：48.43 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BC850-X-AE3-R	文件：54.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION ■ FEATURES * Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. * Complement to BC856 … BC860 文件：54.93 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BC850-X-AL3-R	文件：54.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION ■ FEATURES * Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. * Complement to BC856 … BC860 文件：54.93 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
BC850
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.31
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC850供应商更新时间2025-12-25 8:01:00

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