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BC850BW	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS FEATURES • General purpose amplifier applications • NPN epitaxial silicon, planar design • Collector current IC = 100mA • Both normal and Pb free product are available : Normal : 80~95 Sn, 5~20 Pb Pb free: 98.5 Sn above 文件：117.77 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC850BW	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2F；Package：SOT323；NPN general purpose transistors FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：330.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC850BW,115	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：330.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC850C	文件：46.35 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：46.35 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BC850C	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2Gs；Package：SOT-23；NPN Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC856...-BC860...(PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：216.64 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC850C	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：186.57 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC850C	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor NPN Silicon General Purpose Transistor NPN Silicon * Moisture Sensitivity Level: 1 * ESD Rating - Human Body Model:>4000V - Machine Model:>400V 文件：277.22 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
BC850C	文件：139.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：139.97 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BC850C	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：194.55 Kbytes 页数：4 Pages	ETL 亚历电子	ETL
BC850C	文件：121.72 Kbytes Page：9 Pages	SMD NPN Transistor General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V,Machine Model: >400 V • Epitaxial plana chip construction • Ideal for medium power application and switching • As complementary type, the PNP transistor 文件：121.72 Kbytes 页数：9 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA

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晶体管资料

型号：
BC850
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.31
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	BC850	ON	24+	SOT-23	2300	原装现货假一罚十	询价
深圳市星佑电子有限公司	BC850	PHI	05+	原厂原装	33051	只做全新原装真实现货供应	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	BC850	PHI	9915+	SOT-23	15000		询价

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