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BC848BW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features - Power dissipation PCM: 0.15W (@TA=25°C) - Collector current ICM: 0.1A - Collector-base voltage VCBO: BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V 文件：135.09 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
BC848BW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistor Features - Power dissipation PCM: 0.15W (@TA=25°C) - Collector current ICM: 0.1A - Collector-base voltage VCBO: BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V 文件：129.77 Kbytes 页数：6 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
BC848BWT1	文件：185.37 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications. 文件：185.37 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC848BWT1	文件：147.54 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications. 文件：147.54 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848BWT1	文件：207.09 Kbytes Page：6 Pages	CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications. 文件：207.09 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC848BW-TP	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistors Features • Low current (max. 100mA) • Low voltage (max. 65V) • Case Material:Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1 文件：794.27 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC848B-13-F	文件：148.35 Kbytes Page：6 Pages	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 文件：148.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC848B-7-F	文件：148.35 Kbytes Page：6 Pages	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 文件：148.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC848BDW	文件：2.41026 Mbytes Page：15 Pages	丝印：1F；Package：SOT363；NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors 文件：2.41026 Mbytes 页数：15 Pages	FUTUREWAFER	FUTUREWAFER
BC848BF	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPN Silicon AF Transistors 文件：183.85 Kbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
NPN
IC (A)：
0.1 A
ICM (A)：
0.2 A
PD (W)：
0.3 W
hFE (min)：
200 Min
hFE(@ IC)：
0.002 A
hFE(@ IC2)：
N/A A
VCE (SAT)Max (mV)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
0.1/5
VCE (SAT)(Max.2)：
600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.01/0.5
fT (MHz)：
300 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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更多BC848B供应商更新时间2026-1-17 16:03:00

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