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BC848BW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848BW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848BWQ	文件：876.94 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC848BW-TP	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848C	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •310mWPowerDissipation •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

更多BC848BW-G供应商更新时间2025-7-30 15:01:00