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BC847PNW	文件：523.72 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPMulti-ChipTransistor FEATURE ●EpitaxialDieConstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847-Q	文件：226.26 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847QAPN	文件：260.17 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified •Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847QAS	文件：231.18 Kbytes Page：12 Pages	45V,200mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified •Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847RA	文件：240.38 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847RAPN	文件：264.95 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847S	文件：51.51 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：57.7 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：156.12 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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