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BC847S	文件：1.98179 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPN Plastic-Encapsulate Transistors Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
BC847S	文件：156.12 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current gain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENS Siemens Ltd
BC847S	文件：57.7 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistor Array NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC847S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC847S	文件：51.51 Kbytes Page：5 Pages	NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-Chip Transistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
BC847S	文件：2.75261 Mbytes Page：2 Pages	Multi-chip transistor (NPN) Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
BC847S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon AF Transistor Arrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC847S	文件：233.15 Kbytes Page：3 Pages	Multi-Chip TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
BC847S	文件：173.21 Kbytes Page：4 Pages	Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
BC847S	文件：1.09342 Mbytes Page：3 Pages	DUAL TRANSISTOR (NPNNPN) DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BC847S	文件：738.38 Kbytes Page：4 Pages	Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
BC847S	文件：735.56 Kbytes Page：3 Pages	SOT-363 Plastic-=Encapsulate Transistors APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
BC847S	文件：42.39 Kbytes Page：1 Pages	NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC847S	文件：587.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual General Purpose Transistor DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
BC847S	文件：852.17 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon AF Transistor Arrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC847S	文件：159.8 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose NPN Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC847S	文件：171.09 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose NPN Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC847S	文件：165.04 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose Dual NPN Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC847S	文件：171.97 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose NPN Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克

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详细参数

型号：
BC847S
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN GP AMP SC70-6
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847S供应商更新时间2024-4-27 23:00:00

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