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BC847PNQ	文件：491.41 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT363	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847PNW	文件：523.72 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPMulti-ChipTransistor FEATURE ●EpitaxialDieConstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847-Q	文件：226.26 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847QAPN	文件：260.17 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified •Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847QAS	文件：231.18 Kbytes Page：12 Pages	45V,200mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified •Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847RA	文件：240.38 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847RAPN	文件：264.95 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847S	文件：51.51 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC847S	文件：57.7 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
BC847CW RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	BC847CW(1GS)	INFINEON	23+	SOT-323	8000	只做原装现货	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	BC847CW(PBFREE)	PHI	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多BC847CW RF供应商更新时间2025-5-29 15:01:00

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