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BC847CDXV6	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 双极晶体管 The NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. • These are Pb-Free Devices\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1	文件：64.97 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead-Free Solder Plating 文件：64.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G	文件：102.33 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features • These are Pb−Free Devices 文件：102.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T5	文件：64.97 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead-Free Solder Plating 文件：64.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T5G	文件：102.33 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features • These are Pb−Free Devices 文件：102.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1_10	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1D	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G	文件：138.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：138.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
420
hFE Max：
800
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.357
Package Type：
SOT-563

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更多BC847CDXV6供应商更新时间2025-12-26 16:30:00

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