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BC847CDXV6T5

Dual General Purpose Transistors

Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead-Free Solder Plating

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ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T5

Dual General Purpose Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T5

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563

ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T5G

Dual General Purpose Transistors

Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features • These are Pb−Free Devices

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ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T5G

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安森美半导体

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Dual General Purpose Transistors

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安森美半导体

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    45V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-563

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更多BC847CDXV6T5供应商 更新时间2025-10-4 16:30:00