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BC847BS	文件：350.38 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS	文件：140.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISVOL VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BS	文件：229.38 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BS	文件：286.24 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BS	文件：112.44 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS	文件：55.55 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS	文件：199.53 Kbytes Page：3 Pages	NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847BS	文件：111.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTCBC847BSisadualNPNtransistors;itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgain,lowpowerdissipationandlowcollector-emittersaturationvoltage. TheUTCBC847BSissuitableforahighgain,lownoiseandgeneralpurposeamplifier. ■FEATU	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC847BS	文件：323.27 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC847BS	文件：697.91 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

详细参数

型号：
BC847BMB
功能描述：
两极晶体管 - BJT 45V NPN 100mA 250mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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