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BC847BPN	文件：264.91 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BPN-AU	文件：376.56 Kbytes Page：5 Pages	DUALSURFACEMOUNTNPN/PNPTRANSISTORS(COMPLIMENTARY) Thisdevicecontainstwoelectrically-isolatedcomplimentarypair(NPNandPNP)general-purposetransistors.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●Electrically-IsolatedComplimentaryTransistorPairs ●Acqirequalitysystemcertificate:TS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BPNH	文件：267.08 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BPNH-Q	文件：268.19 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BPN-Q	文件：267.45 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotive	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BQ	文件：253.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC847B-Q	文件：226.26 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BQA	文件：1.28155 Mbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BQA	文件：1.28054 Mbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits General-purposetransistors Threecurrentgainselections Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BQA	文件：1.23481 Mbytes Page：15 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits General-purposetransistors Threecurrentgainselections Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC847BMB
功能描述：
两极晶体管 - BJT 45V NPN 100mA 250mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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