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BC847BS	文件：239.26 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS	文件：1.23686 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC847BS-AU	文件：239.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BSH	文件：235.66 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSH-Q	文件：236.83 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSQ	文件：350.46 Kbytes Page：5 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •TheBC847BSQissuitableforautomoti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS-Q	文件：241.81 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotive	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC847BM-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-101，SOT-883
供应商器件封装：
SOT-883
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT883

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