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BC847BLP	文件：99.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryPNPTypeBC857BLP •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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BC847BM	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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BC847BM	文件：686.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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BC847BM	文件：131.51 Kbytes Page：18 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BC847BM	文件：228.51 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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