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BC847BS	文件：239.26 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS	文件：1.23686 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC847BS-AU	文件：239.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BSH	文件：235.66 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSH-Q	文件：236.83 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSQ	文件：350.46 Kbytes Page：5 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •TheBC847BSQissuitableforautomoti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS-Q	文件：241.81 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotive	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS-TP	文件：229.38 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847BT	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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深圳市振宏微科技有限公司	BC847B-QVL	NEXPERIA	23+	原厂原封	50000	订货1周原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BC847B-QVL	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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