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BC847S	文件：587.76 Kbytes Page：3 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847S	文件：852.17 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847S	文件：2.75261 Mbytes Page：2 Pages	Multi-chiptransistor(NPN) Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC847S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：171.09 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：165.04 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeDualNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：171.97 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：233.15 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC847S	文件：173.21 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

产品属性

产品编号：
BC847-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC847x-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847-QR供应商更新时间2025-7-14 14:39:00

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