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BC847UF	文件：87.17 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=45V •ComplementarypairwithBC857UF	AUK AUK corp	AUK
BC847UF	文件：179.63 Kbytes Page：3 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC847W	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847W	文件：251.07 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighVoltage:BC846WVCEO=65V. •ForComplementaryWithPNPTypeBC856W/857W/858W.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC847W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847W	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847W	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847W	文件：133.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847W	文件：99.12 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

产品属性

产品编号：
BC847-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC847x-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847-QR供应商更新时间2025-7-24 14:21:00

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