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BC846BDW	文件：924 Kbytes Page：4 Pages	丝印：4Ft；Package：SOT-363；SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES eTwotransistorsinonepackage eReducesnumberofcomponentsandboardspace eNomutualinterferencebetweenthetransistors	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC846BDW	文件：406.04 Kbytes Page：3 Pages	丝印：4BT；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Twotransistorsinonepackage Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC846BDW1T1	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC846BDW1T1=1B BC847BDW1T1=1F BC848CDW1T1=1L Features •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BDW1T1	文件：459.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC846BDW1T1	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BDW1T1D	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BDW1T1G	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BDW1T1G	文件：144.9 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications Requiri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BF	文件：51.75 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BC846B-G	文件：156.63 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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产品属性

产品编号：
BC846B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SOT-23
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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