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BC846BDW1T1	文件：459.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETL E-Tech Electronics LTD	ETL
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BC846BDW1T1D	文件：133.42 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BC846BDW1T1G	文件：144.9 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications Requiri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BDW1T1G	文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBC846BDW1T1	文件：172.74 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistorsNPNDuals	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC846BDW1T1G	文件：202.63 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.RoHSrequirements. WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithandControlChangeRequirements;AEC-Q101Qualif	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SBC846BDW1T1G	文件：144.9 Kbytes Page：11 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications Requiri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
BC846BDW1T1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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