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BD637	文件：124.18 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=25mA •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min.) •ComplementtoTypeBD638 APPLICATIONS •Designedforamplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD637	文件：246.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=25mA •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min.) •ComplementtoTypeBD638 APPLICATIONS •Designedforamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C637	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C637	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CD637	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMN637	文件：77.03 Kbytes Page：1 Pages	764MHzBandRejectFilter	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CNL637	文件：348.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CTN637	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
DC-637	文件：134.3 Kbytes Page：1 Pages	3.0WATTSINGLE&DUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
FDC637AN	文件：240.68 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedeviceshavebeendesigned	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
BC637TA
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC637TA供应商更新时间2025-7-28 16:22:00

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