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BC639,112

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO92-3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BC639G

HighCurrentTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BC639G

HighCurrentTransistors

HighCurrentTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BC639NPN

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor

CDIL

Continental Device India Limited

BEGV639M

DisplayEmbeddedSystem

BOLYMIN

BOLYMIN INC

C639

500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT

Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg

POWERBOX

Powerbox manufactures

CD639

TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)

CDIL

Continental Device India Limited

CMX639

TheProductDataAmendmentseriesofdocuments

CMLMICRO

CML Microcircuits

CNL639

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

CTN639

ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier

CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

产品属性

  • 产品编号:

    BC639,112

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NXP
24+
80
询价
NXP
22+
NA
45000
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询价
NXP
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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PH
24+
原厂封装
3050
原装现货假一罚十
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NXP
2020+
TO-92
340
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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NXP
23+
TO-92
8650
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FSC
05+
原厂原装
891
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Fairchild
23+
33500
询价
onsemi
25+
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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NXP/恩智浦
23+
TO92
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多BC639,112供应商 更新时间2025-5-23 16:30:00