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DG636	文件：240.36 Kbytes Page：15 Pages	0.5pCChargeInjection,100pALeakage,DualSPDTAnalogSwitch FEATURES •Ultralowchargeinjection (±0.5pC,typ.overthefullanalogsignalrange) •Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG636E	文件：315.23 Kbytes Page：17 Pages	TheDG636Eoperatingtemperaturerangeisspecified	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DSW-636	文件：313.43 Kbytes Page：2 Pages	PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DSW-636	文件：341.11 Kbytes Page：3 Pages	PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DSW-636	文件：35.95 Kbytes Page：2 Pages	SplitBobbin-PrintedCircuitTransformersSingle&DualPrimaries	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ES636	文件：283.04 Kbytes Page：13 Pages	TrueRMS-to-DCConverters Description TheES636isatrueRMS-to-DCconverter.Itacceptslow-levelinputsignalsfrom0to400mVRMScomplexinputwaveforms.Itcanbeoperatedformeitherasinglesupplyordualsupplies.Thedevicedrawslessthan1mAofquiescentsupplycurrent,furthermore,anenablepinisprovide	CYRUSTEKCyrustek corporation 承永科技承永资讯科技股份有限公司	CYRUSTEK
ES636	文件：227.38 Kbytes Page：13 Pages	TrueRMS-to-DCConverters Description TheES636isatrueRMS-to-DCconverter.Itacceptslow-levelinputsignalsfrom0to400mVRMScomplexinputwaveforms.Itcanbeoperatedformeitherasinglesupplyordualsupplies.Thedevicedrawslessthan1mAofquiescentsupplycurrent,furthermore,anenablepinisprovide	CYRUSTEKCyrustek corporation 承永科技承永资讯科技股份有限公司	CYRUSTEK
FAJAE-636	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY,6POSITIONAND8POSITION	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
FDC636P	文件：198.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FRJAE-636	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL

详细参数

型号：
BC636_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC636_Q供应商更新时间2025-5-18 9:16:00

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