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BC636PNP

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor

CDIL

Continental Device India Limited

BC636-TA

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Highcurrenttransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

BD636

iscSiliconPNPPowerTransistor

*DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=-25mA *Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-60V(Min.) *ComplementtoTypeBD635

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BD636

SiliconPNPPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BL-HG636A

SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS

YSTONEYellow Stone Corp

早安股份早安股份有限公司

BL-HG636A

SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS

YSTONEYellow Stone Corp

早安股份早安股份有限公司

BL-HG636A

ULTRACHIPLEDLAMPS

YSTONEYellow Stone Corp

早安股份早安股份有限公司

BL-HG636A-TR

SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMP

BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP

步来特电器宁波步来特电器有限公司

BL-HG636A-TRB

GreenSuitableforallSMTassemblymethods.

BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP

步来特电器宁波步来特电器有限公司

BL-HG636A-TRB

TopEmittingSMTLEDComponents

Features: 1.EmittedColor:Green 2.LensAppearance:WaterClear 3.Mono-colortype. 4.1.6x0.8x0.6mm(0603)standardpackage 5.SuitableforallSMTassemblymethods. 6.Compatiblewithinfraredandvaporphase reflowsolderprocess. 7.Compatiblewithautomaticplacement equipment. 8

AmericanBright

American Bright OPTOELECTRONICS CORP.

详细参数

  • 型号:

    BC636_Q

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BC636_Q供应商 更新时间2025-5-18 9:16:00