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BUF636A	文件：308.7 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=450V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.2V(Max)@IC=0.8A APPLICATIONS ·Electroniclampballastcircuits ·Switch-modepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C636	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CPL636	文件：348.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
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CT636FYF	文件：90.59 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Unshielded	CT Central Technologies	CT
CTN636	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CWST636	文件：122.7 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
D636	文件：60.72 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
DG636	文件：190.35 Kbytes Page：10 Pages	0.5pCChargeInjection,100pALeakage,DualSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG636	文件：192.39 Kbytes Page：13 Pages	0.5pCChargeInjection,100pALeakage,DualSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
BC636_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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