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FSWN636	文件：179 Kbytes Page：2 Pages	outsideplantsinglearmor-singlejacketcablewithupto12fibersub-units	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司	PANDUIT
HSM636	文件：228.72 Kbytes Page：2 Pages	5.0VSURFACEMOUNT11x6.35mmHCMOSCLOCKOSCILLATOR	Connor-Winfield Connor-Winfield Corporation	Connor-Winfield
IRF636	文件：66.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IW636	文件：393.78 Kbytes Page：7 Pages	AC/DCSecondary-SideControllerforQualcomm	Dialog Dialog Semiconductor	Dialog
IW636	文件：556.7 Kbytes Page：7 Pages	AC/DCSecondary-SideControllerforQualcomm®QuickChargeTM3.0USBInterface 1Description TheiW636isanAC/DCsecondary-sidecontrollerforUSBinterfacesupportingQualcommQuickCharge3.0(QC3.0)technologyandsecondary-to-primarycommunicationprotocol,toenablerapidchargingofQC3.0/QC2.0-enabled mobiledevices(MDs).TheiW636residesonthesecondarysideo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KC636	文件：258.779 Kbytes Page：1 Pages	(KC1xx)Transistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
KSA636	文件：244.43 Kbytes Page：7 Pages	PNP(LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSHS636ATS	文件：73.65 Kbytes Page：1 Pages	TactileSwitches	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陆电气工业日本北陆电气工业柱式会社	HOKURIKU
LT636	文件：150.93 Kbytes Page：4 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT636isa1-FormAsolidstaterelayina4pinSMDpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDandMOS FETsontheoutputside	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
MAX636	文件：373.71 Kbytes Page：8 Pages	Preset/AdjustableOutputCMOSInvertingSwitchingRegulators GeneralDescription TheMAX635/MAX636/MAX637invertingswitchingregulatorsaredesignedforminimumcomponentDC-DCconversioninthe5mWto500mWrange. Applications MinimumComponent,High-EfficiencyDC-DCConverters PortableInstruments BatteryPowerConversion BoardLevelDC	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

详细参数

型号：
BC636_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC636_Q供应商更新时间2025-5-18 9:16:00

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