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BC556BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556C	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temp 文件：313.16 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC556C	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors 文件：92 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
BC556C	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose PNP Transistors 文件：148.14 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC

产品属性

产品编号：
BC556BU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3

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更多BC556BU供应商更新时间2026-4-17 15:52:00

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