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BC557C	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC557C	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors(PNP Silicon) AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557C	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC546,BC547andBC548. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC557C	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS APPLICATION PNPGeneralPurposeTransistors,EspeciallySuitedForUseinDriverStagesofAudioAmplifier,LowNoiseInputStagesofTapeRecorders,HI-FIAmplifiers,SignalProcessingCircuitsofTelevisionReceivers.	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BC557C	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC557C	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557C	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Transistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC557C	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC557C	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageVCBO:BC556-80VBC557-50VBC558-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC557C	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

产品属性

产品编号：
BC557C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
320MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A TO92

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