BC556C

Elektronische Bauelemente

FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp

BC556C

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

BC556C

General Purpose PNP Transistors

BC556C-AP

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92

BC556CBU

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3

BC556CTA

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3