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BC558A	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC558A	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC558A	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC558A	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC558A	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC558A	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC558A	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC558A	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC558B	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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详细参数

型号：
BC558_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC558_Q供应商更新时间2025-7-29 14:26:00

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