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BC546BTA	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTA	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	Switching and Amplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTF	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	Switching and Amplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTF	文件：55.69 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BTF	文件：141.3 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandApplications •HighVoltage:BC546,VCEO=65V •LowNoise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556...BC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC546BZL1	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC546BZL1G	文件：223.47 Kbytes Page：9 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC546B_07	文件：78.39 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC546B_08	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC546B-AP	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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详细参数

型号：
BC546B
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/45
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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