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BC546BRL1G	文件：223.47 Kbytes Page：9 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：223.47 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546BRL1G	文件：68.89 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：68.89 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546BRL1G	文件：78.39 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors 文件：78.39 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546BRL1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 65V 0.1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BC546BRL1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A TO92

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