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BC546B	文件：68.89 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：68.89 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546B	文件：78.39 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors 文件：78.39 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546B	文件：60.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：C546B；Package：SOT-54；NPN general purpose transistors 文件：60.93 Kbytes 页数：9 Pages	PHI PHI	PHI
BC546B	文件：148.07 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose NPN Transistors 文件：148.07 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC546B	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW 文件：228.16 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC546B	文件：1.10078 Mbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistor 文件：1.10078 Mbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
BC546B	文件：404.87 Kbytes Page：14 Pages	丝印：C546B；Package：SOT-54；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 文件：404.87 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BC546B	文件：404.87 Kbytes Page：14 Pages	丝印：C546B；Package：SOT-54；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 文件：404.87 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BC546BTA	文件：301.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BC546B；Package：TO-923L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：301.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC546BTF	文件：301.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BC546B；Package：TO-923L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：301.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
65
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
6.0
IC (A)：
0.1
PC (W)：
0.625
HFE：
200-450
@IC (mA)：
2.0
@VCE (V)：
5.0
ICBO：
IEBO：
VCE(sat) (V)：
0.3
VBE(sat) (V)：
1.0
FT (MHz)：
150
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC546B供应商更新时间2026-4-14 16:00:00

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