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MJE3439	文件：60.35 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh?뭋oltagePowerTransistor NPNSiliconHigh−VoltagePowerTransistor Thisdeviceisdesignedforuseinline−operatedequipmentrequiringhighfT. Features •HighDCCurrentGain−hFE=40−160@IC =20mAdc •CurrentGainBandwidthProduct−fT=15MHz(Min)@IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3439G	文件：82.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh-VoltagePowerTransistor NPNSiliconHigh−VoltagePowerTransistor Thisdeviceisdesignedforuseinline−operatedequipmentrequiringhighfT. Features •HighDCCurrentGain−hFE=40−160@IC =20mAdc •CurrentGainBandwidthProduct−fT=15MHz(Min)@IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3439G	文件：60.35 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh?뭋oltagePowerTransistor NPNSiliconHigh−VoltagePowerTransistor Thisdeviceisdesignedforuseinline−operatedequipmentrequiringhighfT. Features •HighDCCurrentGain−hFE=40−160@IC =20mAdc •CurrentGainBandwidthProduct−fT=15MHz(Min)@IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MM3439	文件：161.34 Kbytes Page：27 Pages	Lithium-IonBatteryChargeControlIC	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
NJ3439KDW	文件：2.35792 Mbytes Page：6 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateMOSFETs FEATURE SurfaceMountPackage LowRDS(on) OperatedatLowLogicLevelGateDrive ESDProtectedGate IncludingaN-chCJ3134KandaP-chCJ3139K independently)InaPackage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PJA3439	文件：278.72 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3439-AU	文件：295.63 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-500mA	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PN3439	文件：49.46 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.350V). APPLICATIONS •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PST3439	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3439	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI

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