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CC338NPN	文件：242.38 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CM338	文件：222.37 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4MidgetFlangeBase T-13/4MidgetFlangeBase	CML Chicago Miniature Lamp,inc	CML
CM338	文件：35.66 Kbytes Page：1 Pages	MidgetFlangeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CS338	文件：624.23 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUMRATINGS,ELECTRICALSPECIFICATIONS	COTO Coto Technology	COTO
CS338	文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	ContactForm:2aLoadVoltage:600VMaximum CotoMOSCT338/CS338 TheCT338andCS338featurecurrentswitchingcapabilityto70mAwithalowonresistanceof60ΩMaximum.DesignedforSecurity,MeasurementandInstrumentationapplicationstheCotoMOS®relayiscapableofhandling600Vloadconditions.Ifyourrequirementsaredifferentplea	COTO Coto Technology	COTO
CT338	文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	ContactForm:2aLoadVoltage:600VMaximum CotoMOSCT338/CS338 TheCT338andCS338featurecurrentswitchingcapabilityto70mAwithalowonresistanceof60ΩMaximum.DesignedforSecurity,MeasurementandInstrumentationapplicationstheCotoMOS®relayiscapableofhandling600Vloadconditions.Ifyourrequirementsaredifferentplea	COTO Coto Technology	COTO
F338	文件：102.18 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F338A	文件：235.12 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDN338	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN338	文件：2.74912 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Leadfreeproductisacquired ●Surfacemountpackage APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

详细参数

型号：
BC338PSTOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC338PSTOB供应商更新时间2025-5-14 15:00:00

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