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BD360S	文件：124.85 Kbytes Page：3 Pages	THROUGHHOLESCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD360T	文件：48.55 Kbytes Page：2 Pages	THROUGHHOLESCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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BFP360	文件：99.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Lowvoltage/lowcurrentoperation •Forlownoiseamplifiers •ForOscillatorsupto3.5GHzandPout>10dBm •Lownoisefigure:1.0dBat1.8GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP360W	文件：99.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Lowvoltage/lowcurrentoperation •Forlownoiseamplifiers •ForOscillatorsupto3.5GHzandPout>10dBm •Lownoisefigure:1.0dBat1.8GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR360	文件：100.39 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Lowvoltage/lowcurrentoperation •Forlownoiseamplifiers •ForOscillatorsupto3.5GHzandPout>10dBm •Lownoisefigure:1.0dBat1.8GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR360	文件：101.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Lowvoltage/Lowcurrentoperation •Forlownoiseamplifiers •ForOscillatorsupto3.5GHzandPout>10dBm •Lownoisefigure:1.0dBat1.8GHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR360	文件：140.21 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Lownoiseamplifierforlowcurrentapplications •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage •Foroscillatorsupto3.5GHz •Lownoisefigure1.0dBat1.8GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freethinsmall flatpackagewithvisiblel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR360F	文件：140.21 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Lownoiseamplifierforlowcurrentapplications •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage •Foroscillatorsupto3.5GHz •Lownoisefigure1.0dBat1.8GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freethinsmall flatpackagewithvisiblel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

晶体管资料

型号：
BC360(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC160,BC304,3CK10D,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.8

详细参数

型号：
BC360
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-39

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