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BC372	文件：53.71 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Darlington Transistors High Voltage Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：53.71 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC372	文件：107.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Darlington Transistors High Voltage Darlington Transistors NPN Silicon 文件：107.51 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC372	文件：94.23 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Darlington Transistors High Voltage Darlington Transistors NPN Silicon 文件：94.23 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC372	文件：478.02 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：478.02 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BC372	文件：64.459 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Darlington Transistors 文件：64.459 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC372	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管硅塑料 NPN 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。该器件采用 TO-92 封装，适用于中等功率应用。 • Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC372	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC372G	文件：53.71 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Darlington Transistors High Voltage Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：53.71 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC372_07	文件：64.459 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Darlington Transistors 文件：64.459 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC372P	文件：468.45 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：468.45 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX

晶体管资料

型号：
BC372
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC489,BC538,BC639,BC879,BCSR52,2SD1660,2SD2067,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>10000
图片代号：
A-23
vtest：
100
htest：
100000100
atest：
1
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
BC372
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.1V @ 250µA，250mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN DARL 100V 1A TO92

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