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BAS40-06LT1G	文件：184.42 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Schottky Barrier Diodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeed switchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping. Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniature surfacemountpackageisexcellentforhandheldandportable applicationswherespaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS40-06LT1G_V01	文件：184.42 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Schottky Barrier Diodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeed switchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping. Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniature surfacemountpackageisexcellentforhandheldandportable applicationswherespaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS40-06T	文件：394.75 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Diodes Features: Lowforwardvoltage Fastswitching *Ultra-SmallSurfaceMountPackage	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BAS40-06T	文件：310.46 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Diodes Features ◇Lowforwardvoltagedrop. ◇Fastswitching. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage. ◇PNjunctionguardringfortransientand ◇ESDprotection. Applications ◇Generalpurposeswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS40-06T	文件：1.46661 Mbytes Page：4 Pages	丝印：46；Package：SOT-523；SOT-523 Plastic-Encapsulate Diodes FEATURES Lowforwardvoltage Fastswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BAS40-06T	文件：176.57 Kbytes Page：3 Pages	150mW 40Volt Plastic-Encapsulate Diode Features •PowDissipationPD=150mWTamb=25°C •ForwardCurrentIF=200mA •ReverseVoltageVR=40V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAS40-06T	文件：888.26 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAS40-06T-7	文件：160.28 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features ●LowForwardVoltageDrop ●FastSwitching ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection ●LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS40-06T-7-F	文件：122.72 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features •LowForwardVoltageDrop •FastSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreen Device(Notes3,4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS40-06-TP	文件：294.39 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Diode 200 mWatt DESCRIPTION VariousconfigurationsofSchottkybarrier’sdiodesinSOT-23packageareprovidedforgeneral-purposeuseinhigh-speedswitching,mixersanddetectorapplications.Theymayalsobeusedforsignalintegrityandcounteractthetransmission-lineeffectswith(PC)boardtrancesbycla	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
BAS40-06
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
125°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
SCHOTTKY DIODE 40V 0.2A SOT-23-3

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