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BAS40-06	文件：336.99 Kbytes Page：3 Pages	Surface mount schottky barrier diode FEATURES ●Lowturn-onvoltage. ●Fastswitching. ●PNJunctionguardringfortransientand ESDprotection. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplications. ●Circuitprotecting. ●Voltageclamping.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS40-06	文件：603.21 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●LowForwardVoltage ●FastSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAS40-06	文件：143.19 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Diode Features ◇Lowturn-onvoltage ◇Fastswitching ◇PNjunctionguardRingfortransient	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS40-06	文件：255.45 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Diodes Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES •LowForwardVoltage •FastSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BAS40-06	文件：990.3 Kbytes Page：15 Pages	Marking：46S；Package：SOT-23；General-purpose diode for high-speed switching SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS40-06	文件：167.82 Kbytes Page：3 Pages	Marking：CB；200mA Surface Mount Small Signal Diodes ■Features •Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching. •Smallsurfacemounttype. •Upto200mAcurrentcapability. •Lowforwardvoltagedrop(VF=1.00Vtyp.@40mA). •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •SuffixGindicatesHalogen-freepart,ex.BAS40G. •Le	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
BAS40-06	文件：782.26 Kbytes Page：4 Pages	Marking：46；Package：SOT-23；SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES LowForwardVoltage FastSwitching	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BAS40-06	文件：190.45 Kbytes Page：8 Pages	Marking：46；Package：SOT23；General-purpose dual Schottky diode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance •AEC-Q101qualified 3.Applications •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS40-06	文件：92 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Schottky Diodes, Single and Dual FEATURES •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltage andfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunction guardringagainstexcessivevoltage,suchas electrostaticdischarges •AEC-Q101qualifiedavailable •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercialgrade •BaseP/N-HE3-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS40-06	文件：205.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE Features Highcurrentcapability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN

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产品属性

产品编号：
BAS40-06
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
125°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
SCHOTTKY DIODE 40V 0.2A SOT-23-3

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