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BAS16W	文件：247.01 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode Features ◇FastSwitchingSpeed ◇ForGeneralPurposeSwitchingApplications ◇HighConductance	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS16W	文件：305.29 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Switching Diode FEATURES ●Fastswitchingspeed. ●Highconductance. ●Forgeneralpurposeswitchingapplications. ●Surfacemountpackageideallysuited forautomaticinsertion. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeswitchingapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS16W	文件：351.19 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes SOT-323Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●FastSwitchingSpeed ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●HighConductance ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●MoistureSensitivityLevel1	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
BAS16W	文件：67.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Switching Diode (For high speed switching applications) SiliconSwitchingDiode •Forhighspeedswitchingapplications	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS16W	文件：79.89 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Switching Diode Voltage:75-200Volts Power:200mWatts Features •FastSwitchingSpeed •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •ElectricallyIdenticaltoStandardJEDEC •HighConductance	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS16W	文件：651.63 Kbytes Page：3 Pages	Marking：T4；Package：SOD123G；Small-Signal Fast Switching Diodes Features VR75V Ifav200mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BAS16W	文件：97.87 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE HighConductance FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BAS16W	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	Marking：A6；Package：SC-70；High-speed switching diodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16W	文件：634.37 Kbytes Page：8 Pages	Marking：A6；Package：SC-70；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetitivepeak	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16W	文件：856.44 Kbytes Page：5 Pages	Marking：T4；Package：SOD-123；SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes Features FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications HighConductance	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
BAS16
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

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