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BAS116UDJ中文资料Switching Diode数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAS116UDJ

参数属性

BAS116UDJ 封装/外壳为SOT-963;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT963

功能描述

Switching Diode
DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT963

封装外壳

SOT-963

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-12-15 12:00:00

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BAS116UDJ规格书详情

简介

BAS116UDJ属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由Diodes制造生产的BAS116UDJ二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAS116UDJ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Configuration

    :Dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating

    :250 mW

  • ESD Diodes

    :No Y/N

  • Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM

    :85 V

  • Reverse Recovery Time trr

    :3000 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO

    :215 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF

    :150

  • Maximum Reverse Current IR

    :0.01 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR

    :75 V

  • V(BR)R (V) Min @IR=100μA

    :85

  • Total Capacitance CT

    :3 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :N/A

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :N/A

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1.05

  • IR(nA) Max @ VR=5V

    :N/A

  • IR(uA) Max @ VR=30V

    :N/A

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :N/A

  • Packages

    :SOT963

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