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BAS116LP3中文资料Switching Diode数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAS116LP3

参数属性

BAS116LP3 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

功能描述

Switching Diode
DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

封装外壳

0201(0603 公制)

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-5 20:03:00

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BAS116LP3规格书详情

简介

BAS116LP3属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Diodes制造生产的BAS116LP3二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAS116LP3

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Configuration

    :Single

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating

    :250 mW

  • ESD Diodes

    :No Y/N

  • Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM

    :85 V

  • Reverse Recovery Time trr

    :3000 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO

    :215 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF

    :150

  • Maximum Reverse Current IR

    :0.01 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR

    :75 V

  • V(BR)R (V) Min @IR=100μA

    :85

  • Total Capacitance CT

    :3 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :N/A

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :N/A

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • IR(nA) Max @ VR=5V

    :N/A

  • IR(uA) Max @ VR=30V

    :N/A

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :N/A

  • Packages

    :X3-DFN0603-2

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