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BAS116HY中文资料低漏失型, 80V, 215mA, SOT-23, 单, 开关二极管数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BAS116HY

参数属性

BAS116HY 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,

功能描述

低漏失型, 80V, 215mA, SOT-23, 单, 开关二极管
LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-2-6 9:03:00

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BAS116HY规格书详情

描述 Description

BAS116HY是低IR的开关二极管。适合一般开关用途。

特性 Features

• High reliability
• Small mold type
• Low IR

简介

BAS116HY属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由ROHM制造生产的BAS116HY二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAS116HY

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :SOT-23

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Configuration

    :Single

  • Package Code

    :SOT-23

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :3

  • VRM[V]

    :100

  • Reverse Voltage VR[V]

    :80

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :0.215

  • IFM[A]

    :0.5

  • Forward Voltage VF[V]

    :1.25

  • IF @ Forward Voltage [mA]

    :150

  • Reverse Current IR[µA]

    :0.005

  • VR @ Reverse Current [V]

    :75

  • trr[ns]

    :3000

  • IF @ trr [mA]

    :10

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-65

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :2.9x2.4 (t=1.15)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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