BAS116中文资料switching diode数据手册Diodes规格书

厂商型号	BAS116
参数属性	BAS116 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3
功能描述	switching diode DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Diodes Diodes Incorporated
中文名称	美台半导体
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-30 11:30:00
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BAS116规格书详情

简介

BAS116属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAS116二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

制造商编号
：BAS116
生产厂家
：Diodes
Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Standard (Q on Request)
Configuration
：Single
Polarity
：Anode
Power Rating (mW)
：250 mW
ESD Diodes (Y|N)
：No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)
：85 V
Reverse Recovery Time trr (ns)
：3000 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)
：215 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)
：4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)
：1.1
Maximum ReverseCurrent IR (µA)
：0.005 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)
：75 V
V(BR)R (V) Min (µA)
：85
TotalCapacitance CT (pF)
：2 pF
VF(V) Max @ IF=100mA
：1.05
Packages
：SOT23

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