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BAS11数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

BAS11

参数属性

BAS11 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

功能描述

Diode Switching 400V 0.35A 2-Pin GALF

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-13 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BAS11

  • 生产厂家

    :NJS

  • Peak Reverse Repetitive Voltage

    :400V

  • Peak Reverse Recovery Time

    :1000ns

  • Peak Reverse Current

    :0.25uA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current

    :4A

  • Peak Forward Voltage

    :1.1@0.3AV

  • Operating Junction Temperature

    :-65 to 150°C

  • Minimum Operating Temperature

    :-65°C

  • Maximum Power Dissipation

    :75000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Continuous Forward Current

    :0.35A

  • Configuration

    :Single

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