BAS116数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
BAS116 |
参数属性 | BAS116 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 |
功能描述 | Low Leakage Diode |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-13 23:01:00 |
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BAS116规格书详情
描述 Description
Low-leakage applications.Medium speed switching times.Pb-free (RoHS compliant) package1).Qualified according AEC Q101
技术参数
- 产品编号:
BAS116
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
215mA
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
2pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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