BAS116QA数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
BAS116QA |
参数属性 | BAS116QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN |
功能描述 | Low-leakage diode |
封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-13 20:00:00 |
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BAS116QA规格书详情
描述 Description
Single low-leakage current switching diode encapsulated in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.
特性 Features
• High switching speed: trr = 0.8 µs
• Low leakage current: IR = 3 pA
• Repetitive peak reverse voltage VRRM ≤ 85 V
• Low capacitance Cd = 2 pF
• Ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Low-leakage current applications
• General-purpose switching
技术参数
- 产品编号:
BAS116QAZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
300mA
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
2pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
DFN1010D-3
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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