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BAS116LPH4中文资料Switching Diode数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
BAS116LPH4 |
| 参数属性 | BAS116LPH4 封装/外壳为0402（1006 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN |
| 功能描述 | Switching Diode |
| 封装外壳 | 0402（1006 公制） |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 18:14:00 |
| 人工找货 | BAS116LPH4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAS116LPH4规格书详情
简介
BAS116LPH4属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Diodes制造生产的BAS116LPH4二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：BAS116LPH4
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Standard (Q on Request)
- Configuration
：Single
- Polarity
：Anode
- Power Rating (mW)
：200 mW
- ESD Diodes (Y|N)
：No Y/N
- Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)
：85 V
- Reverse Recovery Time trr (ns)
：3000 ns
- Maximum Average Rectifier Current IO (mA)
：215 mA
- Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)
：4 A
- Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)
：50
- Maximum ReverseCurrent IR (µA)
：0.005 µA
- Maximum Reverse Current IR @ VR (V)
：75 V
- V(BR)R (V) Min (µA)
：85
- TotalCapacitance CT (pF)
：4 pF
- VF(V) Max @ IF=100mA
：1
- Packages
：X2-DFN1006-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
19+ |
NA |
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DIODES/美台 |
21+ |
DFN-1006-2 |
30000 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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NA |
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DIODES/美台 |
21+ |
X2-DFN1006-2 |
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DIODES/美台 |
22+ |
DFN-1006-2 |
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DIODESINCORPORATED |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
2023+ |
2-XFDFN |
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